我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

搁浅 2025-02-02 新闻报 4 次浏览 0个评论
新华社上海2月2日消息，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代

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